GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
发布时间： 2023-08-23 13:31:04 点击： 156
GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
规定了使用直排四探针法测定硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。该标准适用于半导体器件和材料中硅外延层、扩散层和离子注入层的薄层电阻测量。
根据标准，测试设备应包括直排四探针测试仪、夹具、电源和测量仪器等。测试时，将待测样品放在夹具上，然后将直排四探针接触到样品表面，并施加一定的电压，测量样品的电流值。通过测量多个点，可以得到样品的薄层电阻分布情况。
该方法的优点是不需要剥离样品，不会对样品造成损*伤，测试速度较快，适合于自动化测试。但需要注意的是，测试结果受到探针与样品接触电阻、测试环境的温度和湿度等因素的影响。因此，在进行测试时，需要控制测试条件并采取必要的修正措施，以保证测试结果的准确性。
总之，GB/T 14141-2009标准提供了使用直排四探针法测定硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法，对于评估半导体器件和材料的电性能具有重要意义。
直排四探针法是一种常用的测试方法，用于测量半导体材料的电阻率。该方法使用四个探针按照直线排列，直接接触材料的表面进行测试。
直排四探针法的优点包括：
测试速度快，适合于批量测试。
对样品的要求较低，不需要进行特殊处理。
测量结果受样品形状和尺寸的影响较小。
直排四探针法的测试原理是基于欧姆定律，通过测量探针之间的电压和电流来计算材料的电阻率。具体来说，将四个探针按照直线排列，分别与材料接触，然后通过电源向材料施加一定的电流，同时测量材料两端的电压。根据欧姆定律，可以计算出材料的电阻率。
需要注意的是，直排四探针法只能测量材料的平均电阻率，无法测量材料的局部不均匀性和突变。此外，测试结果受到探针与材料接触电阻、测试环境的温度和湿度等因素的影响。因此，在进行测试时，需要控制测试条件并采取必要的修正措施，以保证测试结果的准确性。
