GB/T 11297.7-1989锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
发布时间： 2023-08-23 13:33:52 点击： 283
GB/T 11297.7-1989锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
这是一个关于锑化铟单晶电阻率和霍耳系数的测试方法的标准。它规定了使用四探针法测量锑化铟单晶电阻率和霍耳系数的测试方法。
在四探针法中，使用四个探针按照直线排列，分别与材料接触，然后通过电源向材料施加一定的电流，同时测量材料两端的电压。根据欧姆定律，可以计算出材料的电阻率。
四探针法只能测量材料的平均电阻率，无法测量材料的局部不均匀性和突变。此外，测试结果受到探针与材料接触电阻、测试环境的温度和湿度等因素的影响。因此，在进行测试时，需要控制测试条件并采取必要的修正措施，以保证测试结果的准确性。
锑化铟单晶电阻率为5.76 × 10^-4 Ω·m。
霍耳系数，又称霍尔效应（Hall effect），是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。霍尔效应于1879年由埃德温·赫伯特·霍尔（Edwin Herbert Hall）发现。除导体外，半导体也能产生霍尔效应，而且半导体的霍尔效应要强于导体。
