GB/T 11073-2007硅片径向电阻率变化的测量方法
发布时间： 2023-08-23 13:21:26 点击： 240
GB/T 11073-2007硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 11073-2007是关于硅片径向电阻率变化的测量方法的标准。它适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15mm、电阻率为1X10^-3Ω·cm到3X10^3Ω·cm的硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
硅片的径向电阻率是指硅片沿径向方向的电阻率。在标准的测试方法中，硅片的径向电阻率是通过测量硅片在不同位置的电阻值，然后计算出平均电阻率来实现的。
具体的测试方法如下：
将硅片放在测试夹具上，并确保硅片与夹具接触良好。
使用探针或电极在硅片的表面不同位置测量电阻值。
将所有测量点的电阻值记录下来，并计算平均电阻率。
根据平均电阻率，可以判断硅片的导电性能。
需要注意的是，硅片的径向电阻率受到多种因素的影响，如硅片的厚度、晶向、掺杂浓度等。因此，在测试时需要控制测试条件并采取必要的修正措施，以保证测试结果的准确性。
此外，对于硅片的电性能参数的测量，除了径向电阻率外，还包括体电阻率、表面电阻率等参数。这些参数的测量对于评估硅材料的电性能和优化器件的性能具有重要意义
