GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
发布时间： 2023-08-23 13:19:13 点击： 190
GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
规定了使用非接触涡流法测试半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻的方法。该标准适用于半导体器件和材料中硅片和硅薄膜的电阻率测试。
根据标准，测试系统应包括测试装置、探头、信号发生器、测量仪器和试样台等部分。测试时，将硅片或硅薄膜放在试样台上，将探头放置在试样上方，并调整探头与试样的距离。然后，通过信号发生器向探头发送激励信号，探头产生涡流磁场，该磁场在试样上产生感应电流。同时，测量仪器测量试样的电阻值。
该方法的优点是不需要接触试样表面，不会对试样造成损*伤，测试速度较快，适合于自动化测试。但需要注意的是，测试结果受到探头与试样距离、测试环境的温度和湿度等因素的影响。因此，在进行测试时，需要控制测试条件并采取必要的修正措施，以保证测试结果的准确性。
GB/T 6616-2009标准提供了使用非接触涡流法测试半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻的方法，对于评估半导体器件和材料的电性能具有重要意义。
硅薄膜薄层电阻是指硅薄膜在厚度小于1微米的薄膜材料中的电阻值。和硅片电阻率一样，硅薄膜薄层电阻是衡量薄膜材料电性能的重要参数之一。
硅薄膜薄层电阻的测试方法有多种，其中包括四探针法、非接触涡流法等。四探针法是一种常见的测试方法，它通过四个探针与硅薄膜接触并施加电流，测量硅薄膜两端的电压，从而计算出硅薄膜的电阻值。非接触涡流法是一种不接触试样的测试方法，它通过在试样上方放置探头并产生涡流磁场，在试样上产生感应电流，从而测量试样的电阻值。
需要注意的是，硅薄膜薄层电阻的测试结果受到多种因素的影响，如测试温度、湿度、薄膜材料的厚度、晶向等。因此，在测试时需要控制测试条件并采取必要的修正措施，以保证测试结果的准确性。
硅薄膜薄层电阻在半导体器件和材料的研究和生产中具有重要意义。例如，通过改变薄膜材料的电阻值可以调节器件的电流和电压特性，优化器件的性能和设计。因此，硅薄膜薄层电阻的测试对于半导体器件和材料的研发和生产具有重要意义。
