GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
发布时间： 2023-08-23 13:01:34 点击： 146
GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
规定了用扩展电阻探针法测定硅片的电阻率的方法。该标准适用于半导体器件和材料中硅片的电阻率测试。
根据标准，测试设备应包括探针、放大器、信号发生器、示波器、电源和测试夹具等。测试时，将硅片放在测试夹具上，将探针与硅片接触并将探针固定在测试夹具上。然后，通过信号发生器和放大器在硅片上施加一个小的交流电压，同时观察示波器上的读数。通过这些读数，可以计算出硅片的电阻率。
需要注意的是，这种方法适用于厚度大于0.5mm的硅片。对于更薄的硅片，可以使用其他方法来测试其电阻率。此外，测试结果也会受到探针与硅片接触电阻、测试环境的温度和湿度等因素的影响。因此，在进行测试时，需要控制测试条件并采取必要的修正措施，以保证测试结果的准确性。
硅片电阻率的测定是评估硅材料导电性能的重要参数之一。在半导体工业中，硅片的电阻率对于器件的性能和电路设计具有重要意义。
硅片电阻率的测定方法有多种，其中包括扩展电阻探针法、电容法、霍尔效应法等。这些方法各有优缺点，需要根据具体的测试要求和应用场景选择适合的方法。
扩展电阻探针法是一种常用的测试方法，它通过在硅片上接触探针并施加交流电压，测量硅片的电阻值。该方法具有测量精度高、测试结果可靠等优点，但需要使用昂贵的测试设备和技术。
电容法是通过测量硅片的电容来计算其电阻率，该方法具有测试速度快、设备简单等优点，但测试结果受温度和湿度等因素的影响较大。
霍尔效应法是通过测量硅片在磁场中的电导率来计算其电阻率，该方法具有测试精度高、设备简单等优点，但测试结果受温度和厚度等因素的影响较大。
需要注意的是，不同测试方法的测试结果可能存在差异，因此需要根据具体情况选择适合的方法进行测试。同时，测试结果也会受到测试条件、设备误差、环境因素等因素的影响，需要进行必要的修正和校准，以保证测试结果的准确性。
