GB/T 26074-2010锗单晶电阻率直流四探针测量方法
发布时间： 2023-08-23 12:53:06 点击： 181
GB/T 26074-2010锗单晶电阻率直流四探针测量方法
本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。
本标准适用于测量锗单晶的体电阻率以及直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的锗单晶圆片的电阻率。
锗单晶电阻率是指在一定温度下，单位长度、单位截面积的锗单晶的电阻值。
锗单晶的电阻率可以通过多种方法进行测量，其中包括直流四探针法。这种方法使用四个探针接触锗单晶表面，通过测量电阻值来计算锗单晶的电阻率。
需要注意的是，锗单晶的电阻率受到多种因素的影响，如温度、杂质、缺陷等。因此，在测试时需要控制测试条件，以减小误差。
此外，对于锗单晶的应用，电阻率也是一个重要的参数。锗单晶具有高迁移率、高热导率等特点，被广泛应用于高速电子器件、光电器件等领域。
