GB/T 1692-2008硫化橡胶 绝缘电阻率的测定
2023-08-23
GB/T 1692-2008硫化橡胶 绝缘电阻率的测定 《GB/T 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定》于2008年5月14日发布的标准。该标准规定了硫化橡胶绝缘电阻率的测定方法，适用于各种硫化橡胶制品。该标准的主要内容包括：测定原理、试验设备、试样制备、试验步骤、结果计算和试验报告。其中，测定原理基于欧姆定律，通过测量硫化橡胶试样两端的电压和流过试样的电流，计算得到绝缘电阻率。试验设备包括电源、电压表、电流表、电阻箱和测试夹具等。试样制备要求试样的形状和尺寸符合标准规定，表面应平整、无气泡、杂质和损*伤
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GB/T 15738-2008导电和抗静电纤维增强塑料电阻率试验方法
2023-08-23
GB/T 15738-2008导电和抗静电纤维增强塑料电阻率试验方法 GB/T 15738-2008是关于导电和抗静电纤维增强塑料电阻率试验方法的标准。它规定了导电和抗静电纤维增强塑料的电阻率测试方法，包括原理、测试设备、试样制备、测试步骤和数据处理等方面的内容。 该标准的测试方法是基于四电极测量技术的。在试样上施加直流电压，测量通过试样的电流，然后根据欧姆定律计算电阻率。该方法适用于导电和抗静电纤维增强塑料，可以评估材料的导电性能和抗静电性能。
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GB/T 6146-2010精密电阻合金电阻率测试方法
2023-08-23
GB/T 6146-2010精密电阻合金电阻率测试方法 本标准规定了精密电阻合金电阻率的测试方法。本标准适用于在参考温度为20℃时，测量实心并具有均匀截面的精密电阻合金的体积电阻率和单位长度电阻。 合金电阻率是合金材料的一个重要参数，它反映了该合金材料对电流的*碍作用。不同合金材料具有不同的电阻率，且同一合金材料的电阻率会随着温度的变化而变化。例如，银的电阻率为0.0165欧姆·米，铜的电阻率为0.0172欧姆·米，金和铂的电阻率较小，分别为0.024欧姆·米和0.025欧姆·米。
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GB/T 12703.4-2010纺织品 静电性能的评定 第4部分：电阻率
2023-08-23
GB/T 12703.4-2010纺织品 静电性能的评定 第4部分：电阻率 GB/T 12703.4-2010是关于纺织品静电性能评定的标准。其中，“第4部分：电阻率”规定了测量纺织品电阻率的方法。 该标准规定了一种使用四探针法测量纺织品电阻率的测试方法。四探针法是一种常用的测试方法，使用四个探针按照直线排列，直接接触纺织品的表面进行测试。
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GB/T 11297.7-1989锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
2023-08-23
GB/T 11297.7-1989锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 这是一个关于锑化铟单晶电阻率和霍耳系数的测试方法的标准。它规定了使用四探针法测量锑化铟单晶电阻率和霍耳系数的测试方法。 在四探针法中，使用四个探针按照直线排列，分别与材料接触，然后通过电源向材料施加一定的电流，同时测量材料两端的电压。根据欧姆定律，可以计算出材料的电阻率。
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GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
2023-08-23
GB/T 14141-2009标准提供了使用直排四探针法测定硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法，对于评估半导体器件和材料的电性能具有重要意义。 直排四探针法是一种常用的测试方法，用于测量半导体材料的电阻率。该方法使用四个探针按照直线排列，直接接触材料的表面进行测试。 直排四探针法的优点包括： 测试速度快，适合于批量测试。 对样品的要求较低，不需要进行特殊处理。 测量结果受样品形状和尺寸的影响较小。 直排四探针法的测试原理是基于欧姆定律，通过测量探针之间的电压和电流来计算材料的电阻率
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GB/T 11073-2007硅片径向电阻率变化的测量方法
2023-08-23
GB/T 11073-2007硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 11073-2007是关于硅片径向电阻率变化的测量方法的标准。它适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15mm、电阻率为1X10^-3Ω·cm到3X10^3Ω·cm的硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。 硅片的径向电阻率是指硅片沿径向方向的电阻率。在标准的测试方法中，硅片的径向电阻率是通过测量硅片在不同位置的电阻值，然后计算出平均电阻率来实现的。
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GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
2023-08-23
GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 规定了使用非接触涡流法测试半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻的方法。该标准适用于半导体器件和材料中硅片和硅薄膜的电阻率测试。 根据标准，测试系统应包括测试装置、探头、信号发生器、测量仪器和试样台等部分。测试时，将硅片或硅薄膜放在试样台上，将探头放置在试样上方，并调整探头与试样的距离。然后，通过信号发生器向探头发送激励信号，探头产生涡流磁场，该磁场在试样上产生感应电流。同时，测量仪器测量试样的电阻值。
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GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
2023-08-23
GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 规定了用扩展电阻探针法测定硅片的电阻率的方法。该标准适用于半导体器件和材料中硅片的电阻率测试。 根据标准，测试设备应包括探针、放大器、信号发生器、示波器、电源和测试夹具等。测试时，将硅片放在测试夹具上，将探针与硅片接触并将探针固定在测试夹具上。然后，通过信号发生器和放大器在硅片上施加一个小的交流电压，同时观察示波器上的读数。通过这些读数，可以计算出硅片的电阻率
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GB/T 26074-2010锗单晶电阻率直流四探针测量方法
2023-08-23
GB/T 26074-2010锗单晶电阻率直流四探针测量方法 本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量锗单晶的体电阻率以及直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的锗单晶圆片的电阻率。
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